Wafer bonder EVG 501

Thermo-compression bonding / Eutectic bonding / Anodic bonding / Transfert   /   EVG

Contacts :         /   BOUVILLE   David

Location : SB021

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    Bonder EVG
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    Bonder EVG
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    Bonder EVG
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    collage cordons or/or pour titane sur verre
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    plateau+échantillon

Caractéristiques

  • Vacuum   :   atm to 4.10e-4 mbar
  • Temperature   :   550°C max. in 1°C steps
  • Substrates   :   1/4 2'' up to 4''
  • Thickness   :   Max. thickness of wafer stack: 6 mm
  • Mode   :   Automatic or manual operation modes
Expertises

Collage en thermo-compression Au/Au pour report de couches épitaxiées

Ce procédé permet de contacter directement en "bottom" les couches épitaxiées après avoir été structurées.

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Contacts : Paul Goulain / Jean-Michel Manceau / Nathalie Isac

Collage en thermo-compression Au/Au pour report de couches épitaxiées

Ce procédé permet de contacter directement en "bottom" les couches épitaxiées après avoir été structurées.

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Contacts : Adel Bousseksou / Jean-Michel Manceau / Nathalie Isac

Collage en thermo-compression Au-Au ou Cu/Sn pour encapsulation

Ce procédé permet l'encapsulation sous vide de MEMS ou MOEMS.

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Contacts : Gwenaele Becan / Sylvain Lemettre / Nathalie Isac

Collage thermo-compression BCB

Ce procédé permet le transfert des couches épitaxiées sur un autre substrat pour y être ensuite structuré.

Contacts : Fabrice Raineri / Nathalie Isac

Collage thermo-compression PDMS

Ce procédé permet le transfert de systèmes de mesures réalisés sur des supports rigides vers de supports souples comme le Kapton ou PDMS poreux

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Contacts : Sylvie Bilent / Emile Martinsic / Nathalie Isac

Collage en thermo-compression Cu/Sn pour encapsulation de wafers de silicium

Vue après test de décollement des cordons Cu/Sn//Sn/Cu, il y a de l'arrachement de silicium par endroit, et coupe métallographique d'un cordon de Cu/Sn//Sn/Cu.

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Contacts : Sylvain Lemettre / Nathalie Isac