ALD Fiji 200
Atomic Layer Deposition equipment - Dielectric thin films / Cambridge Nanotech
Contacts : DURNEZ Alan
/ MAILLARD François
Thermal (H2O reactant) or Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition
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ALD Fiji 200
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ALD1
Caractéristiques
- Deposit : Al2O3 (100-250°c) standard
- Deposit : SiO2 (150-250°c) standard
- Deposit : HfO2 (100-250°c) standard
- Deposit : TiO2 (100-250°c) standard
- Deposit : TiN (250-350°c)
- ICP power : 300W
- Gas Line : N2
- Gas Line : O2
- Gas Line : NH3
- Max sample size : 6.5 mm height
- Max sample size : 8 inches
